Etude de l’emisssion de champ des nanatobes de carbon realisee dans la technologie CVD et HVD

 

Adrian BALAN, Aymen OUESLATI, Raphael QUACHIO

                                                           Thales / Ecole Polytechnique

 

 

 

 

Abstract

 

In 2004, It has been discovered that if water was added in the growth of carbon nanotubes , It would be possible to produce single-wall nanotubes with the length of several millimetres. thus, being known as super growth. Based on this discovery, a series of experiments has been made in order to investigate the growth field emission of multi-wall oriented nanotubes to be used as electron sources.

 

Resumé

 

En 2004, ce a été découvert que dés que l'eau était utilisé dans la croissance des nanotubes de carbone mono-parois, on arrivait a trouver des nanotubes de l'ordre de quelques millimètres, qui ont été connus comme des super croissances. Basée sur cette innovation une série de expérimentes ont été fait pour analyser les croissances et aussi l'émission de champs de nanotubes multi-parois, orientés, pour être utilisés comme des sources électroniques. 

 

 

 

 

 

 

 

 


 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Table des matiers :

1  Introduction
2  Preparation de substrast

3 Description des réacteurs de croissance
4  Croissance et analyse de croissances

4  L’nfluence de l'eau ds la croissance

5  Emission de champ
6 Conclusion

7 Annexes

7.1

7. 2 description du MEB, auger

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Introduction

 

Un des plus grands domaine de recherche technologique  maintenant, les nanotubes de carbone sont une des nano structures qui présentent un des plus grands potentiels pour le développent de nouvelles technologies. Une des raisons pour un intéresse aussi grand dans les nanotubes, c'est que ces structures peuvent présenter soit une caractéristique semi-conductrice, soit une caractéristique conductrice. Il y peuvent avoir intéresses d'autres que l'électronique (les mécanique, par exemple), mais pour l'instant cette finalité continue à être celle qui attire le plus grand nombre de recherches.

 

D'une manière simplifié, un nanotube de carbone peut être vu comme un ou plusieurs plans graphitiques enroulés, formant des cylindres qui possèdent un diamètre de l'ordre de la centaine de nanomètre, pour une auteur de quelques micromètres. Quand ces cylindres sont formés par un seule plan graphitique, nous avons ce qui nous appelons les nanotubes mono-parois, qui possèdent une caractéristique semi-conductrice. D'autre part, si ces tubes sont formés par plusieurs plans, les nanotubes multi-parois, sa caractéristique électrique va être d'un conducteur. Dès que c'est possible former ces nanotubes en endroits bien spécifiques, et les faire orientés, les nanotubes multi-parois, possèdent un grand potentiel pour être appliqué comme des sources d'électrons, soit pour amplifier des champs électriques.

 

La technique de croissance de nanotubes par dépôt chimique de vapeur, avec un plasma(PECVD-Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) a présenté des bons résultats pour la croissance des nanotubes multi-parois. En plus, en fin 2004, c'était observé que les nanotubes mono-parois produits par la TCVD(dépôt de vapeurs chimiques thermique) qui avaient une taille de l'ordre de quelques millimètres, et une degré de pureté de l'ordre de 99,98%.

 

Basé sur ces deux résultats, nous avons nous concentré sur deux aspects au long de ce projet. Dans un premier instant, nous avons fait toute la chaîne de production d'un nanotube, dès la fabrication de un réseau de catalyseur dans le soustraite, jusqu'à sa caractérisation électronique des nanotubes, et dans une autre côte analyser l'influence de l'eau dans la croissance des nanotubes de carbone multi-parois, comme sources électroniques.

 

 

Préparation des plots

 

 

 

 

On va s’intéresser dans cette partie à la préparation des plots qui est le terrain sur lequel les nano tubes de carbone vont pousser.

Cette partie est purement technique, où nous détaillons des différentes technologies qui précèdent la phase de croissance des nano tubes, c’est la partie qui prépare le terrain avec le dessin du réseau du catalyseur nécessaire à la croissance et le dépôt du catalyseur.

Les différentes étapes ont été faites dans la salle blanche aux laboratoires de Thalès.

 

Notre but étant de comparer deux types différents de catalyseurs et barrières de diffusion. Nous avons fabriqué trois échantillons différents ; le premier avec la Silice SiO2 qui est déjà présente au début à laquelle on ajoute le Nickel Ni et les deux autres contient le Titane TiN comme barrière de diffusion et le Nickel comme catalyseur.

                                  

La première partie de cette technologie de préparation est le dépôt de la résine et la lithographie. Elle est commune aux deux types de plots. Nous avons commence par le dépôt de la résine sur la surface constitué de Silicium Si fortement dopé en Phosphore et en Arsenic avec une concentration de 1029 atome par cm3. Ce dépôt est effectué à la tournette avec une vitesse de 4000 tour par minute pendant 30 secondes pour avoir une couche d’épaisseur 0,5 μm. La résine que nous avons utilisé est de la marque Shipley avec la référence 1805.

Après cette étape on a un échantillon qui a la forme représentée dans la figure 1.

 

Après qu’on recouvert le silicium par la résine on passe à la lithographie qui a pour but de former les réseaux où les nano tubes vont croître.

On introduit le substrat dans une machine de lithographie optique. Le principe est que deux rayons ultra violets seront dirigés vers la résine de telle sorte que l’énergie de ces rayons sert à fondre cette résine dans des endroits bien précis qui forment le réseau qu’on veut former.

Le période d’exposition dure quatre secondes dans un système de chambre à vide. La puissance est de 10mW par cm2 et la longueur d’onde est 360 nm.

On introduit après le soustrait dans un de développeur Shipley 319 pour l’insolation et juste après trente secondes, on rince avec l’eau pour éliminer les parties de la résine qu’on fait fondre.

On crée ainsi des défauts dans la résine formant les réseaux illustrés dans les figures 2, 3 et 4, la première figure donne une vue générale du subtrat et les deux autres une vue en détail dans un réseau.

 

Le diamètre demandé de chaque défaut est de 1 μm et la distance entre deux défauts est de 4 ou 5 μm. Mais le diamètre réel mesuré avec le microscope à force atomique, dont vous trouverez une description et le principe de fonctionnement dans l’annexe, est approximativement de 1,5 μm et la distance est de 5 μm.

 

 

 

Pour s’assurer que le procédé à bien fonctionné, nous avons passé le substrat au microscope optique car nous avons rencontré des problèmes dans la partie lithographie à cause d’un disfonctionnement de l’appareil au niveau de la chambre du vide pour s’assurer de la réussite de lithographie.

 

Après cette première partie préliminaire où nous avons dessiné le réseau sur la surface du Silicium, on passe à la deuxième étape pendant laquelle on dépose le catalyseur.

Comme nous l’avons mentionné, nous avons focalisé nos recherches sur le rôle du catalyseur qui assure la croissance. Nous voulons savoir l’effet de ce catalyseur et les barrières de diffusion sur la croissance et l’émission de champs ensuite.

Ainsi on va déposer sur le premier soustrait le  Nickel seul et le deuxième le TiN et le Nickel.

Le premier échantillon contient déjà la Silice qui représente une barrière de diffusion entre le Silicium et le Nickel pour les empêcher de réagir. Pour le deuxième le Titane qu’on va déposer est la barrière de diffusion.

 

 

 

 

 

Le Dépôt du Nickel :

 

Ce dépôt s’effectue par évaporation. On introduit l’échantillon dans une enceinte. On bombarde le Nickel avec un faisceau d’électrons de telle sorte qu’on l’évapore. Le Nickel évaporé et diffusé dans l’espace se dépose sur le substrat. On règle les paramètres de l’évaporation grâce à un étalonnage pour avoir une couche de 7 nm. La figure 5 donne un schéma simplifié de la technologie de dépôt par évaporation. Le procédé n’est pas parfait car le dépôt n’est pas homogène mais cela est suffisant vu qu’on n’a pas besoin d’une grande précision.

 

 

 

 

 

Le dépôt du Titane :

 

Le Titane est la barrière de diffusion pour le deuxième substrat. Nous avons utilisé la méthode de pulvérisation cathodique. On introduit le substrat dans une enceinte sous vide. Il y a une plaque de titane au dessus du substrat comme indiqué dans la figure 6, On active un plasma d’Argon Ar et de diazote N2. Les ions crées frappent la plaque de Titane et arrachent des atomes. Ceux la réagissent avec l’azote. Le TiN formé se dépose sur le substrat. La couche du Titane ainsi formée a pour hauteur 15 nm ce qui a nécessité 10 minutes d’exposition.

 

 

Juste après le dépôt du TiN, on ajoute une couche de Nickel, comme pour le premier type de substrat, en utilisant la méthode d’évaporation.

 

A cette étape on a alors deux substrats le premier avec SiO2/Ni  et le deuxième TiN/Ni.

La figure 7 illustre le travail effectué jusqu’à cette étape.

Le lift off

 

La troisième étape est le lift off, ce qui consiste en l’enlèvement de la résine. Ainsi on dégage avec elle le catalyseur et la barrière de diffusion qui sont en dessus. Pour cela on introduit le substrat dans un bain d’acétone pendant une bonne durée de temps pour bien dissoudre la résine. L’acétone s’infiltre dans les défauts de des matériaux (résine) et facilite son décollage.

On introduit le bêcher contenant le tout dans un bain à ultrasons. les vibrations des ondes permettent d’assurer un décollage total, rapide et sur. A la fin on trompe le substrat dans un bain de propanol afin de ne pas laisser des traces.

A la fin du lift off, on a un réseau bien formé avec pour le premier substrat des lots de Nickel sur une surface de Silice et pour le deuxième on a des lots avec TiN en bas et Nickel en haut sur une Surface du Silicium comme on le distingue sur la figure 8.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

La dernière étape est le recuit pour deux parmi les trois substrats. Nous avons utilisé un four de recuit sous vide, le chauffage est assuré par des enroulements chauffants. Le recuit dure 15 minutes. Notre but est de former des clusters, c'est-à-dire quelques gouttes du catalyseur dans chaque îlot, avec les hauteurs qu’on a choisi on généralement 4 ou 5 clusters. Nous pouvons contrôler leur nombre en variant le diamètre d’un îlot ou la hauteur du catalyseur. Pour avoir un seul cluster il faut choisir le diamètre tel que la hauteur de tel sorte que le volume total V = π(d/2)2*h ou d est le diamètre et h l’auteur correspond au volume d’une goutte.

 

On a utilisé pour s’assurer du résultat un microscope électronique à balayage MEB et voila les images qu’on a prises.

La première d’un réseau de Silice/Nickel avec recuit, la deuxième d’un réseau TiN/Ni avec recuit, la troisième d’un réseau TiN/Ni sans recuit. Les images 4,5 et 6 montrent les îlots avec plus de détail et distingue très bien l’effet du recuit.

 

Maintenant tout est près pour la phase de croissance.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Croissance

 

Dès que notre soustrait était prêt nous avons commence à faire des croissances de nanotubes de carbone. Parmi les différents méthodes possibles, nous avons travaillé avec 2 qui étaient adaptés à la croissance de nanotubes orientés: la PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition), qui fait le dépôt en utilisant un plasma CC, qui a pour but forme les ions responsables pour la dégradation du carbone amorphe, et aussi, former un champs électrique pour orienter les nanotubes formés. Pour cette partie l'eau a été utilisé pour fournir les ions.

 

Dans une deuxième partie, nous avons passé a utiliser un  autre méthode de croissance: la PECVD HF (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition with Hot Filament), dans laquelle un filament chaud est ajouté entre pour pouvoir former l'hydrogène atomique par la décomposition du H2 et du NH3, utilisé dans la consommation du carbone amorphe

 

Croissance PECVD

 

Vu que l'utilisation de l'eau comme agent gravant c'est une technique qui a commencé a être étudié en 2005, les bonnes proportions entre la source de carbone, l'eau et le diluant, n'ont pas encore été trouvés, bien comme le bon diluant. Alors,  les croissances qui nous avons Text Box: Tableau 1: Croissances PECVD ( INST: le paramêtre n'a pas resté constant toute au long du experiment, où a été modifié, pour impecher la formation d'arcs elétriques. L'indice fait reference au circuit Anode-Grille, et le paramêtre S au circuit Anode-Soustrate(cathode))  

réalisé sont:

 

Une remarque doit être fait  à la croissance des échantillons XNT-365 et XNT - 367, où la pression d'hélium dans la bouteille était réduite, et donc nous ne sommes pas capables d'assurer que le flux d'hélium à été constant tout au long des expérimentes. Pour cette raison, ces donnés ne seront pas pris en compte lors des analyses

 

Le mecanisme de la croissance

La procedé adopté pour effectuer les croissances PECVD ont été:

 

1.      Après que l'échantillon est place dans le réacteur une pompage est fait avec une pompe turbo jusque au pressions de 10-4 mbar, pendant que l'enceinte est chauffé jusqu'à 100°C pour que les traits de l'eau, oxygène, et d'autres substances puissent être éliminés.

 

2.      Le réacteur est rempli avec du hydrogène à une pression de 2 mbar, et en suite chauffé jusqu'à 700°C. Une fois cette température est atteint, le système est laissé en repos pendant 10 min

 

3.      Un plasma CC d'hydrogène est allumé pendant 15s, pour activer l'hydrogène et donc réduire le catalyseur qui était couvert par une couché d'oxyde, et aussi, pour former les clusters, dans lesquels les tubes vont croître

 

4.      L'hydrogène est substitué par le diluant utilisé dans la procédé, et la température est baissé jusqu'à 600°C

 

5.      L'acétylène (source de carbone) et l'eau sont ajoutés, et après le plasma est allumé, et la croissance est déclenché.

 

6.      Après que le temps de la croissance est passé, le plasma est éteint, l'enceinte est remis sous vide, et on laisse le réacteur se refroidir tout seul.

 

Croissance PECVD-HF

 

Différemment de la PECVD avec de la vapeur d'eau, la croissance utilisant le filament chaud est déjà une technique dont les paramètres sont déjà établis, donc nous avons pu les laisser fixés.

Text Box: Tableau 2: Croissance PECVD -HF ( L'échantillon XNT -384 consiste en 2 écantillons differents un de SiO2 et un de TiN, l'échantillon XNT - 383 a le TiN comme soustrate)( L'indice G est une réferrence)

Pour les deux derniers expérimentes, le schéma du réacteur a été changé pour pouvoir utiliser le filament chaud. La procédé utilisé pour ces expérimentes est basiquement la même utilisé avant, à l'exception que la croissance se fait à 700°C, et, vu que l'échantillon est bombardé par de l'hydrogène atomique, on n'y a pas besoin de allumer le plasma de hydrogène pour réduir le catalyseur.

 

Analyse des résultats

Une première analyse que nous avons pu faire seulement avec les croissances qui ont utilisé l'hydrogène, c'était l'influence de les différents barrières de diffusion. Lorsque le SiO2   est une barrière de diffusion meilleur que le TiN, nous avons une formation de clusters plus homogène dans les soustraits de silice, donc les nanotubes obtenus dans ces soustraits étaient plus grands et plus homogènes comme nous pouvons observer en comparant, les échantillons XNT - 355 et XNT - 354, qui ont été subis à une croissance simultanée. La raison de cela est qu'il y a une reaction entre une partie du nickel et le TiN, qui fait que le cataliseur ne monte pas complètement, jusqu'au bout du tube lors de la croissance.

 

Text Box:  
Illustration 1: XNT - 354 augmentation de 70k tilt 45° dans un MEB

Text Box:  
Illustration 2: XNT - 355 augmentation de 80k tilt 45° dans un MEB

Un deuxième résultat qui a été observé dans les échantillons avec l'hydrogène c'est que le concentration a une influence direct dans la croissance le plus petite est la concentration d'hydrogène, meilleurs sont des croissances obtenues. Ce résultat peut être vérifié dans les images des échantillons qui avaient la silice pour soustrait. Nous pourrions penser que comme il y a moins de diluant, le taux de carbone qui arrive au soustrait est plus grand. Ce phénomène est vrai, mais, nous devons nous souvenir que la croissances  XNT -354, par exemple a duré seulement 16 minutes, tandis que celle de la XNT - 358 a duré 30 minutes. Une autre remarque qui doit être fait, est que pour les croissances peu diluées, il y a eu une tendance à la formation d'arcs électriques entre la cathode et  la grille. Avec ce résultat, nous pouvons faire une extrapolation, qui a été déjà vérifier dans des expérimentes précédents à ce modex, que le plasma de l'eau et acétylène non dilué, est difficile à contrôler, soit par le formation d'arcs électriques, soit par le fait que le dépôs ce fait d'une manière tellement vite, que cela peut produire soit une formation de carbone amorphe, soit à la consommation des tubes par l'eau. Enfin si toutes les concentrations sont réduites, nous avons que comme ne taux de carbone est réduite, nous avons aussi, un dépôs beaucoup mois significative, qui c'est le cas de échantillon XNT - 362.  Ces résultats peuvent être observe dans les images ci dessous:

 


Text Box:  
Illustration 5: XNT – 358 (l'encoche) augmentation de 15k tilt de 45° dans MEB
Text Box:  
Illustration 6: XNT – 362 (l'encoche) augmentation de 15k tilt de 45° dans MEB

Une troisième analyse qui a été faite c'était la variation du diluant. La premier remarque que nous avons pu faire dans les croissances c'est par rapport à la stabilité du plasma. Le plasma d'azote est assez instable ce qui nous a permis d'utiliser une pression de seulement 1mbar dans la croissance des échantillons XNT - 359 et 360. Avec une pression de tel ordre, il faudrait faire une croissance beaucoup plus longue, ce qui n'était pas possible du a formation d'arcs électriques. En plus, le faite que les molécules d'azote soient beaucoup plus lourdes que celles d'hydrogène ou hélium, Crée un risque de pulvérisation des nanotubes.

 

Le plasma d'hydrogène est déjà beaucoup plus stable que celle de N2, mais, les pressions ne peuvent pas dépasser 2 mbar. En plus une autre caractéristique, est que l'hydrogène peut avoir une réaction soit avec le carbone déjà déposé, soit avec l'acétylène.

 

De toutes les croissances réalises celles qui ont été les plus satisfaisantes c'étaient celles qui avaient, l'hydrogène comme diluant. Enfin, un troisième diluant, qui à l'air promise, c'est l'hélium. De tous les plasmas, c'était de loin, le plus stable, ce qui permettrait faire des croissances à 3mbar, ou même plus.Une deuxième avantage du hélium, est qu'il est un gaz inerte, donc il n'y aura aucune réaction, ni avec le carbone, ni avec l'acétylène. Donc, pour qu'une croissance puisse se passer il faudrait augmenter le taux d'eau par rapport au acétylène. Ce résultat a été observé dans l' échantillon XNT-363, où, la croissance a été fait avec les mêmes paramètres d'une croissance avec l'hydrogène, nous avons observé, dans l'analyse avec la nano-sonde auger, une grosse couche de carbone amorphe sur l'échantillon

 



 

 

 

 

Text Box:  
Illustration 13: XNT -363 Région analyse dans la nano sonde Auger

Text Box:  
Illustration 12: XNT -363 Analyse chimique par la nano sonde Auger

 

 

 

 

 

 

Emission de champ

Desciption theorique :

 

L’emission de champ, denomme aussi - Fowler-Nordheim tunneling – est le l’effect par le quelle  des electrons  pass a travers dune barriere de potentiel en preseence d’un champ electrique elevee . Il est present dans les jontions metal-semiconducteur  dans les semiconducteurs doppees, et on propose de l’utiliser dans des triodes de haute frecvence realisees avec des nanotubes.

 

 

Le electrons dans le metal (ou nanotube, qui a un comportament metalique ) peuvent etre considere comme un gas de electrons libres, d’energie comparable a l’energie Fermi du materiel. Pour que un electron « clasique » sort de le metale il doit avoir une energie Evacum. En apliquant un champ electrique Elocal, on obtiennnent une potentiel de la forme indique dans la figure Le potentiel plus haute du vid forme une bariere pour la sortie de l’electron.

En apliquant un champ electrique, on diminue la bariere de potential. Aussi le terme due a l’image potentiel, contribue aussi a faciliter la sortie de l’electron du metal.

 

Dans la mecanique quantique, les Electrons incidents sur la barrire de  potentiel de surface

ont une probabilit non nulle passer la barrirre.

On etudie la forme de la barierre avec un champ electrique aplique et avec un charge image.

 

 

 

Dans les portions Metal l’equation d’un electron est :

 

Dans la portion Vacum, l’equation d’un electron est :

 

Pour calcule la probabilite de transmission par effect tunel, on utilize l’aproximation WKB (annexe 1).

Dans le cas d’une barriere triungulare , le facteur de transmission est :

en effectuant la integration et en considerant Evac-EF = fi

Pour le calcul avec l’image, Norhein a obtenu en 19238

 

On utilise la formule de  Fowler-Nordheim  avec la correction de c Burges et Kroemer en 1953.

 

 

En fin , la dependence de Courant I=J*A de le Champ apliquee est donne par la frmul :

 

 

Pour ameliorer les resultats de l’emission de champs on utilise le phenomen de Effect de pointe .

 

Le facteur d’amplification est :

g = F/E = F/(V/d) [Ð]

b= 3+H/R

facteur dÕamplification

y F= gáV/d

 

Pour avoir un courrent encore plus grand, on utilise une emission d’une reseau des emmeteurs en paralel.  On doit faire attention a la densite de reseau , parce que si les pointes sont tres proches , il apparaît le fenomen d’ecrantage electrostatique :

 

Des etudes (Gr.ning et al., JVST B18, 665 (00)

Nilsson et al., Appl. Phys. Lett. 76, 2071 (00)

Bonard et al., Adv. Mater. 13, 184 (01) ) ont montree que la distance entre les nanotubes qui maximize l’emission de courant est l=2h.

 

 

Ayant toute ca, on essaye de mesurer le courrant d’mission de notre reseeau de nanotubes.

 

Procedure manip :

 

On prepare un echantillon ( XNT 354 - SiO2) .

 

On le place sur le support qui est constitue par :

*      un catode(l’echantillon est en contact direct avec le catode, donc il est partie de le catode),

*      Un spacer de epaiseur(hauteur =110µm)  en Quartz

*      une grille en Si avec le diammetre de 3 mm , epaiseur de 100 µm, trous de 15 µm  au pas de 20 µm

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 


Le dispositif a deux inceintes. On introduit les echantions dans le sas a droite, et on demare les pompes de vid jusqu'à 10-7 Barr. Puis on le deplace dans L’eiceinte a droite, qui est  a une presion de 10-10 bar. Le Grilles necessaires pour l’emision des champ sont dans la einceinte principale. Elles sont alimentees et controlles  par des generateurs de courrant/tension controllee par l’ordinateurr  a l’intermede d’un logiciel en LabView.

 

On choisis des rampes de tension  auxquelles ont va summetre la grille de Si, en mesurant le courant de Grille et le courrant de Annod.

La grille de Filtrage est polarise negatif (par raport a la grille de Si) pour arrete les electrons secondaires qui ont etait extraits par la colision des electrons emis par effect de champ sur la grille de Si.

 

On a teste l’emission en champ pour les deux echtionns en figure .
On obtiennent les courbes d’emission comme en figures. On superopse les courbes obtenus en ralite sur les courbes theoretiques, et on observe une bonne corelation.  On observe que la coube de Courrent d’annod corespond mieux avec la courbe theoretique, parce que dans le courrant de grille on a aussi les courants de fuites(causees par example par un spacer avec des traces de carbon).  En utilisant la courbe de courrant, on peut calculer le facteur de forme β.

 

On obeserve que le deuxieme echanttilon commence a emmetre pour une tension plus pettite, et en calcullant le facteur b on observe que le facteur est superior. Par une annalise visuele des les deux echantions, on voit que sur le premier echantillon les tubes sont groupes serres sur un plot, et leur enveloppe donne le facteur de forme B obtenu theoretiquement.  Pour le deuxieme echantillon, o a presque 1 seul nanotube par plot, et le facteur B est le facteur de est donnne par 1 seul nanotube.

 

 

 

Analise des deux courbes : la courbe pour le premier exhantilon  contiennnet pas mal de courents de fuites dans le courant de grille due aux fuites sur le spacer. Ainsi, il est possible que le courant de anod il est moins que il faudrati etre, due a l’utilisation d’une grille vieille , qui ait peu-etre des celules bouchonnes.

 

Pour le deuxieme echantillon on a utilise un spacer et un grille nouveaux, donc on a pas trop des courrants des fuites. On a pas continuees la courbe apres 1600 V due a une defection des appareils.

 

Resultats obtenues :

 

 

Conclusion :